El Govern ha aprovat l’inici del projecte InnoFAB, una infraestructura capdavantera que està cridada a convertir Catalunya en un actor clau en el desenvolupament de semiconductors avançats, amb una sala blanca de darrera generació de 2.000 m2. Dins del projecte es preveu la creació d’un centre d’investigació i preproducció de xips que utilitzen materials alternatius al silici, amb aplicacions estratègiques en sectors com l’electrònica, la salut o l’energia.
InnoFAB és una iniciativa estratègica per a oferir un entorn únic per a startups i empreses en l’àmbit dels semiconductors capaç de potenciar les seves capacitats de fabricació i accelerar l’adopció de noves solucions i productes per a tots els sectors i tipus d’empresa, incloent-hi pimes i gran empresa.
A partir d’aquesta iniciativa s’afavorirà la creació d’ocupació científica i tècnica altament qualificada i consolidarà Catalunya com a hub europeu en semiconductors. A més, també reforçarà la translació de coneixement des dels centres de recerca cap al mercat. L’acord també preveu la creació d’una nova entitat pública de la Generalitat que assumirà l’execució i gestió del projecte, així com la titularitat del centre i dels terrenys on s’ubicarà.
InnoFAB consolidarà Catalunya com a hub europeu en semiconductors
InnoFAB s’emmarca dins del PERTE Xip i del European Chips Act, dues iniciatives europees que busquen reforçar l’autonomia tecnològica del continent. El projecte, impulsat pel Departament d’Economia i Finances i el Departament de Recerca i Universitats, comptarà amb finançament europeu a través dels fons NextGenerationEU i hi sumarà una inversió total de 400 milions d’euros, amb una aportació total de 3,5 milions d’euros durant el 2025 per posar en marxa la licitació del projecte d’enginyeria.
José Antonio Garrido serà el coordinador del grup de treball interdepartamental que impulsarà el desplegament del projecte. És investigador ICREA de l’Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), un centre reconegut internacionalment per la recerca en materials avançats i membre destacat del programa europeu Graphene Flagship.
El projecte InnoFAB de semiconductors ja té data de presentació
